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- 更新日期: 2024-09-19
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MOSFET的單位面積導通電阻和優值系數(FOM)參數代表了MOSFET的性能,是各大MOSFET廠商產品參數展示的關鍵指標,也是體現MOSFET芯片制造工藝核心技術能力的關鍵指標。 通常來說,MOS管的單位面積導通電阻值和優值系數值越低表示其性能越好。而超低壓MOSFET不關注優值系數,單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓之間存在取舍關系,因此對于超低壓MOSFET選取單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓作為比較指標。 單位面積導通電阻(Ronsp),主要用于衡量功率器件導通狀態下,