印寧華

關于差分輸入、PGA和儀表放大器及混合SOC設計，最近整理一些交流心得分享下面是微群里的聊天記錄之前群里交流的內容多數還是在應用市場和商務MARCON上. 不妨換個角度，聊聊芯片內部的話題, 比如SOC, AFE, MCU 低功耗的設計.針對于數字和模擬芯片設計者，大家對一款通用器件的理解和出發點是不一樣的。比如, 可能大家對儀表放大器理解的角度就會有所不同吧，將差分輸入，MUX, BUFFER。

隔離芯片CMTI及應用意義

更新日期： 2024-09-19
瀏覽次數： 708

什么是共模瞬變抗擾度共模瞬變抗擾度規定了應用在絕緣臨界狀態下的瞬變脈沖上升和下降的速率。如果超過該速率，可能導致對數據或時鐘的損壞。脈沖的變化率和絕對共模電壓都會記錄。新的隔離調制器在靜態和動態CMTI：Common mode transient immunity（共模瞬變抗擾度）條件下進行了測試。靜態……

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AI/ML網絡高速銅纜連接與趨勢

更新日期： 2024-09-14
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近年來，隨著技術的發展和應用場景的拓展，人工智能 (AI) 和機器學習 (ML) 成為熱門的話題，但許多人往往將它們混淆使用，甚至認為這兩個概念完全相同。我們從定義、算法、應用等方面詳細剖析二者之間的聯系與區別。

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高分子材料老化現象

更新日期： 2024-09-06
瀏覽次數： 689

高分子材料包括塑料、橡膠、纖維、薄膜、膠粘劑和涂料等。由于其具有優于傳統結構材料的許多潛在性能，使得它們在軍民品領域的用途越來越廣。

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電壓轉4-20mA電路設計

更新日期： 2024-08-21
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在工業控制等傳感器的應用電路中，輸出模擬信號一般以電壓形式存在。在以電壓方式長距離傳輸模擬信號時，信號源電阻或傳輸線路的直流電阻等會引起電壓衰減。為了避免信號在傳輸過程中的衰減，可增大信號接收端的輸入電阻，但信號接收端輸入電阻的增大，使傳輸線路易受外界電磁干擾，因此在長距離傳輸模擬信號時，不能以電壓輸出方式，而需把電壓……

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電機控制-軟啟動器

更新日期： 2024-08-08
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電機軟啟動的電壓由零慢慢提升到額定電壓，這樣電機在啟動過程中的啟動電流，就由過去過載沖擊電流不可控制變成為可控制。并且可根據需要調節啟動電流的大小。電機啟動的全過程都不存在沖擊轉矩，而是平滑的啟動運行。

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PWM基本原理及充電電流控制

更新日期： 2024-08-01
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?PWM（Pulse Width Modulation）控制——脈沖寬度調制技術，通過對一系列脈沖的寬度進行調制，來等效地獲得所需要波形（含形狀和幅值）。PWM控制技術在逆變電路中應用最廣，應用的逆變電路絕大部分是PWM型，PWM控制技術正是有賴于在逆變電路中的應用，才確定了它在電力電子技術中的重要地位。

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串行數據鏈路LVDS與JESD204標準

更新日期： 2024-08-01
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信號鏈是連接真實世界和數字世界的橋梁。隨著ADC采樣率和采樣精度的提升，接口芯片的信號傳輸速度也越來越快，高速信號傳輸的各種挑戰慢慢浮現出來了。相比傳統的CMOS傳輸技術，在信號鏈中引入LVDS或JESD204B，可以實現更高的信號傳輸速率，更低的功耗，具備更好的抗干擾性 (信噪比更佳)，而且線束數量會大幅降低。

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FPGA進階篇

更新日期： 2024-07-24
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首先，要掌握數字電路原理。學習數字電路原理是邁出的第一步。在掌握數字電路原理之前，必須先了解基礎知識。然后，你可以選擇學習Verilog或者VHDL。如果你已經掌握了C語言基礎，建議選擇VHDL。因為Verilog與C語言相似度較高，容易混淆，最終會發現自己花費了很多時間去區分這兩種語言，而不是學習如何使用它們。

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預失真RFPD數字DPD與RPU

更新日期： 2024-07-08
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無線通信中，電磁波要傳播足夠遠的距離，需要一定的功率，這里就需要功率放大器，簡稱功放PA （Power Amplifier）。理想中的功放y(t)=kx(t)，其中x(t)是輸入信號，y(t)是輸出信號，k為放大系數。線性系統具有頻率保持性，如果輸入信號是正弦信號，則輸出信號是相同頻率的正弦信號。對于非線性系統，如果輸……

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Chiplet助力AI芯片實現算力跨越

更新日期： 2024-05-30
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芯粒英文是Chiplet，是指預先制造好、具有特定功能、可組合集成的晶片（Die），Chiplet也有翻譯為“小芯片”，中科院計算所韓銀和等2020年時建議將Chiplet翻譯為“芯?！?。

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MIPI I3C 協議

更新日期： 2024-04-09
瀏覽次數： 1359

隨著物聯網和嵌入式系統的迅猛發展，設備之間的通信需求變得越來越復雜。在這一背景下，I3C（MIPI I3C）協議應運而生，為連接多種傳感器和外設提供了一種高效而靈活的解決方案。本文將詳細介紹I3C協議，并通過對比I2C和SPI通信，展示其優勢。

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IGBT簡介、結構及原理

更新日期： 2024-03-09
瀏覽次數： 1342

所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅……

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